工商時報【記者涂志豪╱台北報導】

晶圓代工龍頭台積電本周四(18日)將召開法說會,上周於美國聖荷西(San Jose)舉辦的2013年技術論壇中,卻意外宣示包括16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)、極紫外光(EUV)等新技術研發及投產進度全部往前拉。

業界認為,台積電將新技術投產進度時程全面提前,除了新技術研發有所突破外,另一戰略考量,即是為了迎戰聲勢如日中天的韓國三星,以及即將由薄紗後走到台前的英特爾。

今年是台積電傾全力拉高28奈米產能的一年,原本規劃明年才開始拉升20奈米產能,但20奈米量產時間點可望提前至今年底開始。台積電在竹科12吋廠Fab12、南科12吋廠Fab14,已有20個20奈米晶片完成設計定案(tape-out),且多數為新一代ARM Cortex A15處理器核心的晶片。業界人士指出,當中自然包括了蘋果下一代A7處理器。

台積電原本2015年後才真正進入16奈米FinFET世代,但現在已經確定今年底開始試產第一片16奈米FinFET製程晶圓,應是投產首顆64位元ARM Cortex-A57架構及ARMv8指令集設計晶片。

由此來看,明年台積電就會進入16奈米FinFET世代,比原本預期早了一年。台積電雖然與英特爾、三星等共同加入了微影設備大廠荷商艾司摩爾(ASML)的「客戶聯合投資專案」,但去年底時,仍認為EUV技術尚未成熟,16奈米及10奈米仍會用到多重曝光浸潤式(Multi-Patterning Immersion)微影技術,7奈米後才會進入EUV世代,約在2016~2017年。

不過,台積電指出,首片採用EUV微影投片的10奈米晶圓,可望在2015年底開始投產出貨。雖然台積電仍在評估電子束微影(e-beam)可行性,但由此來看,台積電EUV製程將提前1~2年時間進入生產階段。

台積電將20奈米SoC製程、16奈米FinFET製程、EUV微影製程等生產時程全面往前拉,原本預估今年90億美元資本支出顯然不足,外資分析師均認為,台積電今年資本支出拉高到100億美元已無可避免,明年可能還會拉高到100億美元以上,才能將先進製程投產時間點順利提前。


新聞來源:
YAHOO新聞
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